加入寬能隙元件戰局 快捷SiC產品明年上陣

作者: 林苑卿
2011 年 10 月 26 日

繼國際整流器(IR)與意法半導體(ST)發表寬能隙(Wide Bandgap)功率半導體元件後,快捷(Fairchild)半導體日前亦宣布將於2012年推出碳化矽(SiC)產品,並鎖定太陽能、風力發電、電動車(EV)等高功率轉換應用市場進行搶攻,讓寬能隙功率半導體市場戰火急速升溫。
 


快捷技術長Dan Kinzer(左)表示,相較於傳統功率半導體元件,SiC具備更高電源轉換效率、小體積與降低冷卻成本的優勢,將為高效率功率轉換應用市場的大勢所趨。右為亞太區市場行銷暨應用工程副總裁暨台灣總經理藍建銅





快捷技術長Dan Kinzer表示,快捷透過收購TranSiC獲得SiC的核心技術,目前已掌握最關鍵的SiC材料與製程,未來快捷將會加快SiC的布局腳步,預計將於2012年發布旗下SiC產品與市場策略,主要瞄準太陽能逆變器(Inverter)、風力發電逆變器、純電動車(BEV)、混合動力車、工業驅動、不斷電系統(UPS)等高功率轉換應用領域。
 



快捷亞太區市場行銷暨應用工程副總裁暨台灣總經理藍建銅提到,由於SiC功率半導體元件主要鎖定在600伏特以上的大瓦數應用,才能突顯其耐用性、可靠度及高效率的價值,如大瓦數的太陽能集中式(Central)逆變器將會是快捷SiC功率半導體元件的目標市場之一。
 



囿於晶圓尺寸偏小,導致SiC良率不高,為功率半導體廠商戮力突破的技術桎梏,對此,Kinzer指出,SiC最大的技術挑戰在於材料,現階段SiC材料供應商的家數眾多,如何挑選高品質與合適的SiC材料將會是半導體業者面臨的課題。
 



根據市調機構Yole Development預估,至2020年,SiC功率半導體元件市場規模將可望達到10億美元。

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