半導體材料/配電架構同步進化 電源系統設計進入新時代

作者: 侯冠州 / 黃繼寬
2016 年 06 月 13 日

半導體材料/配電架構同步進化 電源系統設計進入新時代在Google宣布將陸續導入48伏特(V)伺服器及配電基礎架構,打造更節能環保的資料中心後,48V電源架構跟著引發諸多討論。然而,部分應用設計早已迫不及待,有意採用更接近60V的配電架構,以便降低配電損耗,增進系統能源效率。Google更以380V作為配電技術發展的長期目標。
 



48V高壓配電趨勢成形 60V以上蓄勢待發
 



Vicor行銷業務副總裁Robert Gendron表示,Google宣布將把自家伺服器的配電系統陸續升級到48V架構後,高壓配電架構成為業界關注的焦點。根據Google的測試結果,與12V配電相比,48V配電可減少系統功耗達30%以上,其省電效果十分顯著,而且還能降低系統散熱需求、使用更低成本的電源線等,好處很多。
 



不過,從電源設計的角度來看,藉由提升配電電壓來增進系統的能源效率,其實是眾所皆知的概念。但理論歸理論,如何克服實作上的困難才是關鍵。要在有限的空間內將48V電源轉換成CPU、GPU所使用的3.3V、1.8V、0.8V電源,同時還要維持與12V轉換一致的效率,其難度遠比從12V轉換要高。專注在小型化、高效率電源模組研發的Vicor,也因此被Google選為主要電源合作夥伴(圖1)。
 


圖1 為了在有限空間內將48V輸入轉換為負載點電壓,高整合模組是必然趨勢。




簡言之,只要市場上有模組供應商能解決相關電源轉換難題,大功率系統改用48V甚至更高壓配電架構的誘因十分明顯。因此,目前部分Vicor客戶已經將配電架構升級到54V,藉此進一步提升系統的能源效率。
 



Gendron認為,短期看來,由於安規限制,60V會是高壓配電的發展門檻。在60V以下的配電線路因為電壓相對低,因此大多不需要通過額外的安規檢測,但若配電線路的電壓超過60V,在許多應用領域中,就得通過對應檢測。
 



但若把眼光放得更遠,隨著技術成熟、相關生態系統逐漸到位,60V不會是高壓配電架構不可逾越的門檻。事實上,單就伺服器應用來說,根據Google的規畫,伺服器採用380V配電架構才是其終極目標,48V等規格只是其發展過程中所留下的腳印。
 



GaN FET後勢看好 能源轉換效率再升級
 



除了配電設計架構的進化外,近幾年半導體業者陸續研發GaN、碳化矽(SiC)等新材料FET,也將對未來的電源設計帶來正面幫助。其中Gendron特別看好GaN FET的發展前景。
 



Gendron認為,要評價一個新技術的發展潛力,可以從資源投入與性能的角度來衡量。如果一款新技術需要投入更多資源來取得更好的效能,該技術或許會有一定的應用需求,但其發展潛力肯定不如投入資源更少,但可以獲得相同性能的新技術。SiC材料就屬於前者,雖然其性能很好,但成本高昂是一大問題;GaN則是後者,其成本相對低廉,但性能表現不俗,未來肯定會成為FET的一大主流。
 



或許是英雄所見略同,看好GaN成長商機,德州儀器(TI)於近期推出一款功率可達600瓦的GaN FET功率級工程樣本–LMG3410。與基於矽材料的FET相比,此一產品與該公司的類比和數位電力轉換控制器相結合,能讓設計人員開發出尺寸更小、效率及效能更高的設計。
 


圖2 德州儀器Broad Market Power副總裁暨總經理Hagop Kozanian指出,相較於以矽為基礎的FET,GaN FET在性能上有許多明顯優勢。





德州儀器Broad Market Power副總裁暨總經理Hagop Kozanian(圖2)表示,伺服器/通訊之交流-直流(AC-DC)供應及機架式直流電源分配(Racl-mount DC Power Distribution)兩大應用市場,將是驅使GaN FET成長的關鍵因素。
 



其原因在於,採用矽製造的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)造成的切換損耗較高,因此無法負荷較高的切換頻率;但若採用GaN,因其本身特性可大幅減少熱的產生,所造成的切換損耗也會較小。
 



因此,隨著資料中心與通訊電源設備建置日增,為減少功率損耗,將會有越來越多客戶採用GaN FET,進而帶動GaN FET成長。
 



據悉,新推出的LMG3410借助其整合式驅動器和零反向恢復電流等特性提供可靠的效能,特別是在硬開關(Hard-switching)應用中更是如此,能夠大幅降低高達80%的開關損耗;而與獨立的GaN FET不同,該產品針對溫度、電流和欠壓閉鎖(UVLO)的故障保護整合了內建智能機制。
 



Kozanian進一步指出,LMG3410並非只是單純的GaN FET,還結合該公司的GaN FET整合驅動器(Integrated Driver)。結合驅動器之後,該產品可實現保護作用,包括過電流(Over-current)或過熱(Over-temperature)保護,同時更能減少電壓應力和電磁干擾。此一作法目前於業界較為少見,大部分供應商都還是單獨供應GaN FET解決方案,並未將驅動器整合起來。

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