反擊高通/聯發 Marvell祭出16/28奈米堆疊SoC

作者: 黃耀瑋
2015 年 06 月 08 日

因應高通(Qualcomm)、聯發科近期在LTE SoC市場猛烈攻勢,邁威爾(Marvell)也積極與台積電合作開發獨家晶片互連技術,期以2.5D封裝堆疊16和28奈米晶圓,實現業界首創模組化、VSoC(Virtual SoC)設計架構–MoChi(Modular Chip),從而打造成本效益與功能整合度更佳的行動處理器SoC,預計今年底新產品即可問世。



Marvell全球業務副總裁Sean Keohane認為,具備較低成本、高整合度設計優勢,將是Marvell在未來行動處理器戰場勝出關鍵。



Marvell全球業務副總裁Sean Keohane表示,1x奈米鰭式電晶體(FinFET)製程絕對是行動處理器業者當前的研發焦點;然而,16/14奈米FinFET系統單晶片(SoC)除複雜度遽增外,成本也令人望之卻步,光是光罩(Mask)開支就上看500萬美元,一旦設計出錯還要重開一次,在在加重晶片商投資風險和壓力,更難以滿足終端產品開發與製造商殷切追求的高效能、親民價格需求。這促使業界須顛覆傳統設計框架,以截然不同的思維打造SoC。


事實上,高通、聯發科近來積極較勁,皆重兵部署祭出20奈米7模LTE Cat. 6處理器,而高通更推進至LTE Cat. 9規格,聯發科則將CPU競賽門檻拉高至十核心,因而讓身為第三勢力,產品規格仍停留八核心、5模LTE的Marvell備感壓力。為保衛國際品牌市占,並持續開拓中國大陸4G市場,Marvell已開始押寶下一代16奈米FinFET製程,醞釀反擊攻勢。


Keohane強調,未來,處理器效能、整合度和成本優勢缺一不可,Marvell於今年世界行動通訊大會(MWC)搶先發表VSoC架構–MoChi,正是應運如今高投資、高風險與高複雜度的16奈米FinFET設計而生。MoChi可將SoC中最主要的CPU/GPU,以及LTE、Wi-Fi Combo等周邊關鍵通訊元件各視為一個模組,靈活運用16奈米或28/20奈米製程,再透過獨家定義的晶圓互連(Interconnect)介面、虛擬化架構和2.5D封裝技術實現新時代SoC。


Keohane分析,行動SoC全面邁向64位元架構,並整合應用處理器、多頻多模LTE數據機,以及無線區域網路(Wi-Fi)802.11ac加藍牙(Bluetooth)4.1多功能整合(Combo)晶片已是時勢所趨,但隨著SoC牽涉更多技術層面,設計出錯風險難免攀升。因此,Marvell與台積電全力發展MoChi,將仿效PC處理器南北橋晶片組概念,以16奈米FinFET開發多核心CPU/GPU,追求更高邏輯運算能力;再以成熟的28/20奈米打造LTE數據機和Wi-Fi Combo,達成較高經濟效益,最終透過2.5D矽中介層(Interposer)或3D矽穿孔(TSV)堆疊封裝成SoC。


如此一來,處理器廠不僅能將雞蛋分散至多個籃子上,還能加速先進製程設計流程,同時提升產品性價比,進一步滿足系統廠要求。Keohane更透露,由於行動裝置擴增電源管理晶片(PMIC)、射頻晶片(RF IC)等類比方案的需求高漲,因此該公司也計畫在2016年將MoChi SoC架構推向類比/數位製程整合的層次。

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