繼科銳(Cree)於今年1月中發表業界首款商用碳化矽(SiC)功率金屬氧化物半導體場效電晶體(Power MOSFET)後，快捷(Fairchild)日前也宣布收購TranSiC，正式跨入碳化矽功率半導體領域；此外，包爾英特( PI)也透過策略投資，布局碳化矽市場，讓碳化矽商用進展向前跨出一大步。
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| 快捷亞太區市場行銷暨應用工程副總裁藍建銅指出，該公司將利用碳化矽材料開發雙極電晶體，而非MOSFET方案。 |
看好碳化矽技術未來發展潛力，快捷於今年4月中旬也決定，透過購併TranSiC快速取得碳化矽市場入門票，除吸納經驗豐富的碳化矽工程師和科學家團隊，並掌握多項碳化矽技術專利外，更獲得已經業界驗證、可在超廣溫度範圍下擁有優於MOSFET和接面場效電晶體(JFET)的雙極碳化矽電晶體技術。
快捷半導體主席、總裁兼執行長Mark Thompson指出，透過結合SiC技術和快捷現有的MOSFET、絕緣閘雙極電晶體(IGBT)和多晶片模組方面的能力，以及遍及全球的客戶據點，將使該公司持續在高性能功率電晶體技術領域，保持創新與領先的位置。
快捷亞太區市場行銷暨應用工程副總裁藍建銅進一步表示，儘管目前SiC功率半導體在價格與量產製程上仍須不斷突破，但隨著市場對能源效率的要求愈來愈高，SiC市場的成長將會非常顯著，尤其在再生能源市場的應用更令人期待，包括太陽能或風力發電的電力轉換系統，都相當適合採用SiC功率半導體進行設計。而購併TranSiC，將有助快捷提早卡位布局，預計在1年內即會有相關產品推出。
科銳共同創辦人暨功率和射頻產品技術長John Palmour表示，科銳碳化矽功率 MOSFET方案的推出，是該公司多年來在材料研究、製程發展和元件設計等方面努力的成果展現，將使業界理想的高壓開關元件不再是未來科技，而是真正上市且可用來導入設計的商品。
另一方面，擅長開發整合型高壓電源方案的包爾英特，則是策略投資位於美國密西西比州，致力高壓碳化矽功率半導體製造的SemiSouth Laboratories，藉此掌握碳化矽技術與產品，以因應再生能源系統逆變器、混合動力車及電動車等應用對超高效率功率轉換方案的需求。
具有更高能源轉換效率的新一代碳化矽(SiC)技術近來快速成為市場關注焦點。隨著節能意識高漲，如何提高單位面積的功率密度，一直是功率半導體開發商致力突破的瓶頸，而具有極高切換速度與低導通電壓降(Voltage Drop)的碳化矽材料遂成為眾望所歸。不過，目前，大部分業者多半只先開發出碳化矽二極體，至於碳化矽功率半導體，囿於製程技術難度較高，遲遲未見正式商用產品推出。因此，科銳首款碳化矽功率MOSFET的問世，可為碳化矽在功率半導體市場的發展，奠下重要基石。
