雖然2010年全球太陽能產值大幅提升73%，成長力道相當強勁，卻也導致逆變器關鍵元件絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)供不應求。不讓東芝(Toshiba)、快捷(Fairchild)等晶片商專美於前，新進業者安森美(On Semiconductor)已展開部署，除設立IGBT部門之外，更將持續開發新產品積極搶市。
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| 安森美大中國區解決方案工程中心總監張道林表示，有別於其他應用領域，太陽能用功率半導體對於轉換效率要求更嚴苛，至少要達85%以上。 |
安森美大中國區解決方案工程中心總監張道林表示，受惠於太陽能逆變器需求量激增，激勵關鍵元件IGBT需求上揚，為爭取更大的市占，2009年安森美特別成立IGBT部門，專注於開發更低導通損耗、更高轉換效率的IGBT，未來該公司對於IGBT將挹注更多資金，透過新產品輪番上陣，提高營收貢獻。
繼第一代IGBT後，安森美第二代IGBT已問世，更強調低導通損耗與高轉換效率性能，張道林不諱言，安森美進軍太陽能領域才剛起步，因此目前太陽能應用領域的營收貢獻仍不高。
除了IGBT之外，安森美針對太陽能領域的電源產品線包括金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、整流二極體、脈衝寬度調變(PWM)、最大功率點追蹤(MPPT)及應用於太陽能發光二極體(LED)路燈的LED驅動IC，其中，MOSFET與整流二極體皆可用於升壓迴路，此外MOSFET、PWM和MPPT用於充電控制。
