奇夢達和南亞科技宣佈已獲得75奈米動態存取記憶體(DRAM)溝槽式(Trench)技術之驗證,最小之製程尺寸為70奈米,第一個75奈米之產品將為512Mb DDR2記憶體晶片,此項新的技術平台和產品是雙方共同在德國德勒斯登(Dresden)和慕尼黑(Munich)的奇夢達開發中心所開發。目前已經在奇夢達的德勒斯登十二吋廠生產線開始此項新一代動態存取記憶體技術之試產。
負責奇夢達的市場和運作,也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas Seifert)表示,在取得75奈米動態存取記憶體溝槽式技術能力並推出第一項相關產品後,在技術布局上,已達到一個重要的里程碑。此項75奈米技術平台能夠滿足即將出現的各種高速介面所需之效能需求,例如在DDR3或繪圖產品方面的應用。
南亞科技全球業務行銷副總兼發言人白培霖博士表示,此項新產品所採用的技術,最小之尺寸已達到目前最微小的70奈米,將可獲得更高的效能和密度,例如1Gb/ 2Gb DRAM,使成本更具競爭力。
採用75奈米技術的合格產品512Mb DDR2能夠滿足國際半導體標準協議機構(JEDEC)定義的最高DDR2速度所需之效能需求,使用於高階伺服器和各種運算應用中,並展現出在75奈米之技術能力,可應用在未來的高速DRAM產品上。75奈米技術的推出,對下一代之效能需求非常重要,亦可進一步改善奇夢達和南亞之成本架構。和之前的90奈米技術相比較,75奈米之製程架構亦可進一步縮小晶片尺寸,因此每一片晶圓將會多增加40%之產出。
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