威世(Vishay)推出VRPower整合型DrMOS功率級解決方案，提供三種 PowerPAK封裝尺寸，以應對高功率高效率多相負載點(POL)應用領域，其中Siliconix SiC789與SiC788採用MLP66-40L封裝，為英特爾(Intel)4.0 DrMOS標準(6毫米(mm)×6毫米)腳位；SiC620及SiC620R則採用全新的5毫米×5毫米MLP55-31L封裝；SiC521則是4.5毫米×3.5毫米的MLP4535-22L封裝。此裝置被最佳化於需要高電流，有空間限制的運算、儲存設備、電信交換器、路由器、圖形卡與比特幣挖礦機的直流(DC)-DC電轉換器。
6毫米×6毫米腳位提供更方便的升級路徑，給設計上需要更高的輸出功率並已使用Intel標準DrMOS 4.0的腳位者，全新5毫米×5毫米及3.5毫米×4.5毫米的腳位，給設計上需要更侷限、緊湊空間的電壓調節器，提供更理想的選擇。PowerPAK MLP55-31L及MLP4535-22L改善數種在封裝上所產生的寄生及熱度效應。
舉例來說，在傳統多相降壓型轉換器設計中，採用雙邊冷卻MLP55-31L封裝的SiC620R可傳送70安培(A)，效率為95%；能同時冷卻封裝頂部及底部，較前一代封裝相比減少20%的損失，占板面積也減少33%。縮小型的SiC521可在筆電、伺服器週邊設備、電信交換器及遊戲主機板等設計中傳送高達25安培的連續電流，電流峰值達到40安培。
威世科技網址：www.vishay.com
