比利時微電子研究中心(IMEC)與有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)製程設備供應商–威科(Veeco)日前宣布，將共同投入於矽基氮化鎵(GaN-on-Si)基板研究計畫，目的在於降低功率元件(Power Devices)和發光二極體(LED)的製造成本。
威科資深副總裁暨總經理Jim Jenson表示，GaN-on-Si技術可用來降低LED及功率元件的成本，將有助固態照明、電源供應器，甚至是太陽能板及電動車的發展。威科自2011年起即與IMEC戮力於GaN-on-Si的研究與發展計畫，雙方都致力於降低成本及維持GaN-on-Si元件的效能，此項合作計畫對雙方而言可謂互惠互利。
GaN-on-Si曾一度被期許為LED基板技術的明日之星，因其具備快速量產及低成本優勢，可望加速LED照明的普及；但GaN-on-Si的技術挑戰與良率問題，讓許多研發廠商頗為躊躇，導致技術發展牛步，亟待各家廠商共思解決之道，以突破GaN-on-Si基板躍升市場主流的瓶頸。
因此IMEC聚集許多業者共同參與GaN-on-Si研發計畫，希望研發出200毫米(mm)矽基板的世界級的氮化鎵(GaN)LED及功率元件，並使其可兼容於200毫米互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程。各家廠商藉由與IMEC聯手，共享成本、人才及智慧財產權，可望加速研發進程及將此項先進技術推進到市場的腳步。
IMEC首席科學家Barun Dutta表示，IMEC與威科的目標是建立完整的製程設備，以幫助GaN-on-Si成為更具競爭力的技術，而威科的MOCVD設備具有高生產力，且能產出一定品質的磊晶，將有助GaN-on-Si基板在功率元件和LED應用的研發更快達到新里程碑。
