宜特科技正式突破技術門檻，在IC電路除錯技術上完成難度極高的28奈米最小線寬修改，且電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal 1)。除擁有技術外，該公司也建造完成國內唯一同時擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實驗室，除一般的Front-side聚焦離子束(FIB, Focused ion beam)技術外，亦可支援Back-side FIB線路修改技術。
FIB工程處經理許如宏表示，早在2010年，宜特即展開28奈米IC線路修改的研究與布局，針對最底層的極小線路作修改測試，並從極小間距中，研究如何設定正確參數將訊號引出，還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利)，克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真。目前在各個環節上均已完成驗證，技術能量已可滿足現今所有先進製程產品的除錯與驗證需求。
宜特觀察發現，28奈米是現今市場上各大廠欲跨入的製程，此製程可為IC產品帶來更高的效能，更低的能耗與更輕薄短小的尺寸，相當符合現今行動裝置的需求，因此許多大廠紛紛導入。
晶圓代工龍頭台積電在2011底率先量產28奈米製程產品，並預估今年28奈米製程產品將達到整體營收的10%。市占率居次的聯電近期也傳出接獲數間大廠的28奈米訂單，進入試產階段。緊追在後的三星及格羅方德(Global Foundries)，也各自有其在先進製程上的布局。
不過，28奈米在設計與布局上的複雜度大幅升高，並很難有一套通用的可製造性設計(Design for manufacture, DFM)模型來確保設計與布局的正確性，將導致IC設計業者須進行更為頻繁的光罩改版，增加時間成本與金錢成本的負擔。
而且，一套28奈米光罩要價近2億台幣，是40奈米的好幾倍，往來重新下光罩亦需一個多月。因此，許多業者採FIB線路修改技術，藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。
Back-side FIB其原理是從IC晶片的背面(即矽基材端)來進行線路修改，該相關技術近年來受到高度矚目，其需求亦日益趨多。特別在連線密度與輸入/輸出(I/O)數都特別高的28奈米製程上，由於需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(Flip Chip)形式，也因此，使用Back-side FIB線路修改將成為未來主流。
宜特網址：www.istgroup.coｍ
