富士通(Fujitsu)開發全新鐵電隨機存取記憶體(FRAM)MB85RC1MT，擁有1Mb記憶體(128K字元X8位元)，是所有富士通半導體I2C序列介面產品中記憶體容量最高。MB85RC1MT保證有十兆次寫入/刪除(Write/Erase)週期，適用於須要經常重覆寫入資料之應用，例如工廠自動化、測試儀器及工業設備所需之即時資料登錄應用。
FRAM是一種兼具非揮發性與隨機存取功能的記憶體，能在沒有電源的情況下儲存及高速寫入資料。值得注意的是，在眾多非揮發性記憶體技術中，FRAM能保證一兆次以上的寫入/刪除週期。富士通半導體自1999年開始量產FRAM產品以來，已將上述產品廣泛應用在工廠自動化設備、測試儀器、金融終端機及醫療裝置等領域。
MB85RC1MT可在-40～85°C的溫度範圍以1.8～3.3伏特(V)工作電壓運作，可支援「高速」操作頻率模式，並可在傳統電子抹除式可複寫唯讀記憶體(EEPROM)相同的3.4MHz及1MHz環境進行讀寫資料作業。
這些FRAM系列產品採用業界標準的八接腳小尺寸封装(SOP)，因而可取代EEPROM或序列快閃記憶體，並適用於工廠自動化、測試儀器及工業設備等應用，更毋須大幅修改電路板的設計。
富士通網址：www.fujitsu.com
