富士通半導體(Fujitsu)宣布推出以0.18µm技術為基礎的全新串列周邊介面(SPI)FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)產品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A共三款型號，並已開始提供客戶樣品。
FRAM技術將靜態隨機存取記憶體(SRAM)的快速讀寫與非揮發性快閃記憶體等優勢都整合至一顆晶片。此款全新SPI FRAM系列MB85RSxxx三款型號MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A，分別代表256Kbit、128Kbit和64Kbit三個密度等級。此三款晶片的工作電壓範圍介於3.0～3.6伏特，可承受讀寫週期達一百億次，並能將資料保存在55℃的環境下長達10年，且其工作頻率已大幅提高至最大25MHz。因為FRAM產品在寫入的處理過程中不需要電壓增壓器，因此很適合低功率應用。另外，該產品亦提供具有標準記憶體針腳配置的八針腳塑膠SOP封裝，並可完全與E2PROM晶片相容。
富士通除了推出SPI FRAM系列，還提供具備I²C和並列介面的FRAM獨立晶片，其密度等級從16K～4Mbit皆備。此外，富士通半導體正計畫進一步擴充其FRAM產品陣容以滿足更多的市場需求。
此款FRAM獨立儲存晶片可廣泛運用於測量、工廠自動化應用，以及眾多需要資料擷取、高速寫入和高耐用性等功能之相關產業。FRAM對於其客戶來說，不但可完美取代所有採用電池支援的解決方案，更是一款兼顧環保之產品。
富士通半導體網址：www.fujitsu.com/cn/fsp
