富士通(Fujitsu)推出矽基板氮化鎵(GaN)功率元件晶片–MB51T008A，耐電壓能達到150伏特(V)。MB51T008A的初始性能狀態為常關型(Normally-off)，與同級耐電壓的矽功率元件相比，MB51T008A的優值因數(FOM)可减低將近一半。採用富士通半導體的GaN功率器件，客戶能設計出體積更小、效率更高的電源元件，並廣泛運用於家電、資通訊科技(ICT)設備和汽車電子等領域。
MB51T008A具備許多優點，包括擁有13mΩ的導通電阻，而總閘極電荷為16nC。若使用相同的耐電壓，MB51T008A的優值因數(FOM)大約是矽功率元件的一半；MB51T008A採用WLCSP封裝，能達到最低的寄生電感並支援高頻率運作；MB51T008A專有的閘極設計，可預設關閉狀態，以執行常關型運作。MB51T008A對使用直流對直流(DC-DC)轉換器中的高側開關和低側開關的資料通訊設備、工業產品和汽車電子而言，是理想選擇。
此外，由於MB51T008A支援電源電路中更高的切換頻率，因此能縮小電源產品尺寸並提高效率。富士通半導體計畫於2013年7月開始為客戶提供樣品，並於2014年開始量產。
富士通網址：cn.fujitsu.com
