富士通(Fujitsu)近期發表高密度4 Mbit可變電阻式記憶體(ReRAM)產品MB85AS4MT。此產品為富士通與松下電器合作開發之首款ReRAM產品。
MB85AS4MT為SPI介面的ReRAM產品，能在1.65至3.6伏特電壓下運作，並於最高時脈5MHz的讀取操作下，僅需0.2mA的平均消耗電流。此全新產品適用於需要電池供電之穿戴式及醫療裝置，例如助聽器等需要高記憶體密度，且低功耗的電子裝置。
截至目前為止，該公司藉由提供具有耐讀寫，以及低功耗特性的鐵電隨機存取記憶體(FRAM)，以滿足客戶對遠高於EEPROM，以及串列式Flash等傳統非揮發式記憶體的效能需求。
在將新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其產品線後，可進一步擴充產品選項，以滿足客戶多樣化的需求。
MB85AS4MT不僅能在電壓1.65至3.6伏特之間的廣泛範圍內作業，還能透過SPI介面支援最高5 MHz的運作時脈，並在讀取時僅需極低的作業電流(5MHz時脈下平均僅消耗0.2mA)。此外，其擁有同級產品非揮發性記憶體中，相當低的讀取功耗。
此全新產品採用209mil 8-pin的SOP(Small Outline Package)，腳位與EEPROM等非揮發性記憶體產品相容。另外，微型8-pin SOP封裝中，置入了一個4 Mbit的記憶體，以超越串列介面EEPROM的最高密度。
該公司預期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性，可運用在電池供電的穿戴式裝置、助聽器等醫療裝置，以及量表與感測器等物聯網裝置。
