富士通(Fujitsu)亞太電子有限公司台灣分公司近期宣布成功開發具有4Mbit記憶容量的全新鐵電隨機存取記憶體(FRAM)–MB85RQ4ML，此產品於四線SPI介面非揮發性RAM市場中擁有較高密度，並開始以樣本量供貨。
該產品採用單一1.8V電源供電，使用具有四個I/O pin的四線SPI介面，並能達到每秒54 MByte的資料傳輸速率；且具高速運算能力與非揮發性記憶體特性，適用於網路建置、RAID控制器及工業運算等領域。
該產品相較以往富士通產品中，採用44-pin TSOP封裝中，擁有16-bit平行介面的4Mbit FRAM，其傳輸速度較快，為每秒13MB，其資料讀寫速度更領先前者將近四倍之高，且所用腳位更少。同時，此產品適用於必須持續重寫設定資料的網路設備，如路由器等。其定位介於資料儲存用的高密度非揮發性記憶體與高速作業記憶體之間，並以高速存取及資料備份支援資料重寫。
此外，隨著資料處理量不斷增加，記憶體亦必須頻繁地執行資料重寫；而從安全觀點來看，保留存取記錄也將更受到重視。有鑑於此，此產品能透過保留網路領域中存取資訊而促進設備效能的改善。
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