富士通半導體(Fujitsu)宣布推出全新具有靜態隨機存取記憶體(SRAM)相容型並列介面的4Mbit鐵電隨機記憶體(FRAM)晶片–MB85R4M2T。MB85R4M2T採用44-pinTSOP封裝，並且與標準低功耗SRAM相容，因此能夠在工業機械、辦公自動化設備、醫療設備以及其他設備等應用中，取代原有具備高速資料寫入功能的SRAM。
FRAM具備非揮發性資料儲存功能，即使在電源中斷的狀況下仍能保護資料；隨機存取功能則能高速寫入資料。由於FRAM在寫入資料時若面臨電源臨時中斷或是停電，仍舊能夠安全地儲存資料，因此即使在電源中斷時還是能夠立即儲存參數資訊並即時記錄設備上的資料數據。
另外，MB85R4M2T無須任何電池即可持續地儲存資料，因此有助於發展更小型、更省電的硬體設備，且能降低總成本。其優勢包含減少電路板面積，由於MB85R4M2T不須要透過電池儲存資料，因此能減少50%以上產品中所使用印刷電路板(PCB)記憶體與相關零件的面積。此外MB85R4M2T能降低功耗，相較於SRAM在主電源關閉的情況下將資料保存在記憶體時，每秒需要消耗約15微瓦(µW)的電流以保存資料，FRAM為非揮發性的記憶體，在電力關閉情況下不會耗費任何電力。FRAM移除電池不僅降低零件成本，也免除所有電池更換或維修相關的週期性成本，能大幅減低開發及營運的總成本。
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