專訪英飛凌電源與感測系統事業部大中華區協理陳志星 寬能隙功率元件GaN/SiC大有可為

作者: 廖專崇
2021 年 09 月 30 日
半導體的應用越來越廣泛,隨著許多領域陸續電氣化,尤其5G、雲端運算、物聯網、電動車等趨勢,而為了提升效率與擴大應用規模,耐高電壓、更低導通電阻與更快切換速度的寬能隙半導體氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)迅速崛起,Infineon長期投入功率元件的開發,自然在當紅的第三代半導體擁有完整布局。
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