隨著3D NAND快閃(Flash)記憶體技術日益成熟，以及相關供應商大力推廣下，工業用儲存所採用的記憶體規格今年將大舉轉向3D NAND方案，同時也將導入傳輸效能更好的PCIe介面，以進一步提高儲存容量密度與產品性價比。
宇瞻科技(Apacer)垂直市場應用產品處處長林志亮表示，2D微縮製程已進入瓶頸，使得記憶體製造商擴大採用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態硬碟開發商大舉採納，用以打造兼具高儲存容量和價格優勢的新產品。
林志亮認為，在工業記憶體製造規格上，2017年最大改變除了將2D NAND汰換成3D NAND之外，過去在工業應用領域中，較少有AES資料加密功能的產品，預計導入AES資料加密功能的記憶體也將會是2017年一大重點，尤其是軍工產品。
不僅如此，PCIe介面規格導入工控儲存產品也將是2017年的亮點之一。現階段PCIe介面主要的應用市場在雲端伺服器領域，因為該領域對於大容量與寬頻的需求殷切；不過，後續針對同樣要求高效能的軍工、電競市場，都是下一步將導入的重點領域。
整體而言，林志亮推測，2018年開始，將有一半以上的工業電腦(IPC)廠商開始陸續採用3D NAND，預估2017下半年會陸續做驗證動作。
林志亮分析，近兩年記憶體產業與過去幾年大相逕庭。一般而言，記憶體市場會隨著季節性的變化，營收有高低起伏的變動，少有記憶體產業會連續成長超過六季，這歸因於兩項重大刺激因素所導致。首先，在於2D NAND快閃記憶體轉向3D NAND技術輪替，使得記憶體產能供不應求；再者，各種終端裝置對整體記憶體需求量的成長，尤其是汽車產業。
林志亮談到，過去記憶體產業主要需求來自於手機廠商，但近年智慧汽車市場的起飛，對於各式各樣感測器、相機與記憶體的需求急速攀升，助長記憶體產能擴增。此外，大量使用動態隨機存取記憶體(DRAM)與NAND Flash的PC、Ultramobile、伺服器與固態硬碟等電子設備，也將帶動半導體營收的增加。
