繼日前與台積電延伸合作至20奈米(nm)以下製程，安謀國際(ARM)再於14日宣布與格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)簽訂合約，雙方將合推採用格羅方德20奈米製程與鰭式場效電晶體(FinFET)技術的ARM核心系統單晶片(SoC)，並攜手發展新一代Mali繪圖處理器(GPU)核心。
ARM執行副總裁暨處理器部門與實體矽智財(IP)部門總經理Simon Segars表示，此次合作將同步優化ARM與格羅方德技術，為智慧型手機、平板裝置與個人電腦提供高效能ARM處理器。在雙方密切配合之下，也將加速開發新世代20奈米低耗電(LPM)與FinFET製程技術，確保客戶能獲得多種實作選項，順利將半導體發展往前推進兩個世代。
事實上，ARM不久前才與全球晶圓代工龍頭–台積電延續20奈米先進製程合作計畫，針對ARMv8架構下的新一代64位元ARM處理器、Artisan實體IP及FinFET製程技術進行最佳化，以應用於要求性能與節能兼具的高階行動裝置、企業級伺服器。
未屆一個月，ARM旋即又與格羅方德攜手，著手開發完整Artisan實體IP平台，包含Standard Cell、記憶體編譯器和封裝堆疊(PoP)IP解決方案等，可見其積極鞏固行動市場地位、防堵英特爾(Intel)後來居上，並擴展個人電腦與企業級設備版圖的雄心。
格羅方德全球行銷暨業務執行副總裁Mike Noonen強調，ARM技術已整合至全球許多產量最高的行動裝置中，在今後數年內的重要性只會不斷提高。因此，藉由格羅方德先進製程知識，結合低功耗ARM中央處理器(CPU)和GPU核心架構，將為雙方未來開闢行動裝置市場版圖，帶來絕佳競爭優勢。
據了解，格羅方德已致力打造ARM Cortex-A系列處理器數年，包含一系列28奈米製程方案，以及現正於紐約Malta晶圓廠實作的20奈米測試晶片。新合約將延續既有成果，進一步推動IP平台生產，並助力客戶迅速轉移至三維(3D)FinFET電晶體，開發更具前瞻性的ARM架構處理器，以便在智慧型手機、平板裝置與超薄筆電中，實現更優異的系統效能和電源效率。
