延伸SiP發展 創意電子挺進3D IC領域

作者: 陳昱翔
2011 年 07 月 11 日

在既有的系統封裝(SiP)基礎上,創意電子看好其所延伸的尖端技術─立體堆疊晶片(3D IC)市場需求將會是未來產品技術導入的主流,已開始積極的投入市場布局。眾所皆知,產品成功的關鍵為如何在有限的印刷電路板(PCB)上做到更小的尺寸、更佳的效能與更多的功能整合。而3D IC可在有限的PCB上做到各種技術優勢,將可幫助原始設備製造商(OEM)在競爭激烈的市場中拔得頭籌。
 


創意電子SiP/3D IC處長林崇銘指出,未來消費型電子若要具備競爭力,勢必要導入3D IC。





創意電子SiP/3D IC處長林崇銘表示,系統封裝(SiP)技術下一個重要演進階段將是從2D到三維(3D)的積體電路(IC)設計新思維。由於現在消費型電子產品都期望能更加輕、薄、短、小,原有的2D設計早已不敷使用,唯有透過垂直堆疊晶片的方式,才能夠滿足客戶的需求,而創意電子透過優秀的服務設計將可為客戶產品帶來更大的競爭力。
 



林崇銘進一步說明,3D IC是透過矽穿孔(TSV)技術來實現垂直導通各層晶片,使晶片電氣能夠互聯。由於是垂直堆疊,其所占PCB面積小,相對也可降低產品成本。TSV技術與過往傳統的SiP技術相較之下,前者具有功耗較低、連接面較短、密度較高、散熱性較佳、晶片異質整合以及可減少電路延遲等多項技術優勢。舉例來說,三星(Samsung)及爾必達(Elpida)已有使用TSV技術製成8Gb DDR3工程樣品,Samsung晶片尺寸是10.9毫米(mm)×9.0毫米,充分展現出使用TSV可讓產品具備小尺寸與高效能的特性。因此,產品若導入TSV技術勢必將更具有競爭力。 



創意電子自從3年前起,SiP營收即占總營收約30%,其優秀的設計與快速的生產能力廣受客戶好評。目前正致力於整合式被動元件(IPD)、矽插(Interposer)技術、以及矽穿孔技術,並朝向3D IC的尖端封裝技術發展邁進。
 



不可諱言,3D IC若要開始普遍導入各產品中,仍然有許多必須面對的挑戰,例如必須解決規格、成本與設計工具等多項難題,首當其衝就是軟硬體設備的建立與提供、製程設計與可靠度評估,以及成本模式之衡量等,另外,標準化的建立亦是當務之急,這些都有賴業界彼此合作才有辦法一一克服。

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