繼德州儀器(TI)積極導入12吋晶圓廠以擴大類比市場占有率後，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12吋晶圓量產研發計畫，希望將電源晶片的生產由目前8吋廠升級至12吋廠，以因應市場持續高漲的節能需求，並鞏固既有市場地位。
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| 台灣英飛凌副總裁暨執行董事詹啟祥指出，超接面MOSFET將是未來功率半導體市場的主流。 |
台灣英飛凌副總裁暨執行董事詹啟祥表示，該公司已在奧地利展開12吋晶圓量產研發工作，主要將用於超接合(Super Junction)技術的金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)等功率半導體元件的生產，一旦相關發展成熟後，將可移植至馬來西亞的晶圓廠進行量產。
由於超接面MOSFET可較傳統平面式(Planar)MOSFET在相同尺寸的裸晶(Die)上實現更低的導通電阻與切換損失，進而提升每單位面積的功率密度，因此，在節能意識抬頭的市場環境中，重要性與日俱增，產品滲透率也節節攀升。
不過，與平面式MOSFET相比，目前超接面MOSFET產品價格仍偏高，所以英飛凌所推行的12吋晶圓量產計畫，將有助進一步降低超接面MOSFET成本，為該市場的起飛預先作好準備。詹啟祥分析，儘管目前傳統平面式MOSFET的市場規模仍占大宗，但未來超接面MOSFET方案將會快速放量成長，兩者將呈現明顯的消長態勢。
位於奧地利菲拉赫(Villach)的英飛凌奧地利分公司，是英飛凌極為重要的研發和製造中心，規模僅次於德國總部與馬來西亞分公司，專精於應用在汽車和工業暨多重市場的能源效率方案開發，並致力以低轉換損失的功率半導體實現系統的微型化和高能效發展；此外，感測器和非接觸式安全晶片亦是另一研發重點。
詹啟祥強調，歷經有線與無線事業部門的切割後，現今的英飛凌已處於最佳的發展狀態，產品組合也更為聚焦，尤其是功率半導體、絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及碳化矽(SiC)蕭特基二極體等方案，更是該公司最自豪的優勢，對汽車和工業暨多重市場的拓展，將是莫大的助益。
據了解，英飛凌於2010年會計年度的研發費用高達3億9,900萬歐元，占總體營收比重的25%，較2009年會計年度的1億9,500萬歐元(占總營收約22%)大幅攀升。
