強化GaN HEMT絕緣性　氮化鎵RF性能更優異

作者： Bertrand Parvais / Hao Yu
2022 年 05 月 02 日
無線網路的頻寬需求持續成長，導致射頻(RF)頻段的壅塞問題更加嚴重。電信產業正在積極尋找新興技術，以滿足未來行動通訊應用的需求，例如改用更高頻段進行通訊，就可以有更多可用的頻寬資源。 為達到100GHz以上的傳輸頻率，研究人員針對新興的三五族材料展開測試，例如磷化銦(InP)。而在毫米波的低頻段，亦即50GHz以下的無線電頻譜，業界預期氮化鎵(GaN)技術將是發展關鍵，故基於氮化鎵的射頻元件，不僅可應用於新一代5G...
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