第三代通用序列匯流排(USB 3.0)滲透率將顯著提升。先前USB 3.0在NAND快閃記憶體(Flash)產能未能配合的情況下，遲遲未能於儲存應用領域大展身手；不過，今年USB 3.0已迅速拓展至電視、車載資通訊系統與行動裝置等影音傳輸應用市場，可望提升市場滲透率。
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| 円星科技副總經理張原熏指出，該公司的USB 3.0實體層IP整合高速混合訊號電路，支援5Gbit/s傳輸率，並向下相容USB 2.0與USB 1.1。 |
円星科技副總經理張原熏表示，儘管USB 3.0介面在數據傳輸率的效能優勢大幅勝過前一代標準，但由於2013年大多數讀寫速度在200MB/s以上的NAND快閃記憶體多被用在智慧型手機的內嵌式記憶體(eMMC)，因此在記憶體供應商有限、產能受擠壓的情況下，USB 3.0即使應用於儲存產品，也難與合適的快閃記憶體搭配，導致無法彰顯終端產品差異化優勢，並削弱儲存產品開發商採用USB 3.0介面的意願。
有鑑於此，USB 3.0晶片商已積極開拓儲存應用之外的市場，盼能於其他領域大展鴻圖。張原熏指出，由於USB 3.0同時具備高傳輸率與供電兩大優勢，因此已迅速成為第二代高解析度多媒體介面(HDMI 2.0)在電視等影音應用市場的強勁對手。
據了解，聯發科/晨星的超高畫質(UHD)電視主晶片已提供USB 3.0的介面支援，而未來中國大陸主要品牌廠商的電視也多將搭載至少一個USB 3.0接口，做為無線區域網路(Wi-Fi)或UltraGig Dongle插孔，從而實現與手機/平板等行動裝置間無線傳輸高畫質(HD)影音的應用情境。
不僅如此，隨著主要應用處理器廠商高通(Qualcomm)、輝達(NVIDIA)、博通(Broadcom)等紛紛推出支援USB 3.0規格的新一代處理器，智慧型手機與平板電腦搭載USB 3.0介面，亦已是大勢所趨。
看好各式影音應用系統將大量導入USB 3.0晶片，円星科技積極投入USB 3.0實體層(PHY)矽智財(IP)開發，並已於日前成功通過台積電矽智財驗證中心的測試。
張原熏強調，円星科技的USB 3.0實體層矽智財具備低晶片占位面積(僅競爭對手70%)、最低至50毫安培(mA)的耗電以及高可靠度等多重優勢，更重要的是，已全面適用於110奈米(nm)、55奈米、40奈米和28奈米等製程技術，可視特定應用積體電路(ASIC)客戶的應用需求，提供能夠最快速完成晶片整合設計的矽智財選項。
