快捷單一P通道MOSFET鎖定手機市場

2012 年 03 月 08 日

快捷半導體(Fairchild)現為手機和其他超可攜式應用的設計人員提供一款P通道PowerTrench MOSFET元件–FDMA905P和FDME905PT,滿足他們對具有出色散熱性能的小型電池或負載開關解決方案的需求。
 



FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET,這些元件具有散熱性能和小尺寸,同時非常適合線性模式應用。
 



FDMA905P採用2毫米(mm)×2毫米MicroFET封裝,具有低側高-最厚0.8毫米,能確保低RDS(ON)(取大RDS(ON)=16毫歐姆(mΩ) at VGS=-4.5伏特(V),ID=-10安培(A)),具有出色的散熱性能(RJA=52℃/瓦(W))。
 



FDME905PT採用1.6毫米×1.6毫米薄型MicroFET封裝,具有超低側高-最厚0.55毫米,能確保低RDS(ON)(MAX RDS(ON)=22mΩ at VGS=-4.5V,ID=-8A),具有出色的散熱性能(RJA=60℃/W)。
 



FDMA905P和FDME905PT不含鹵素和氧化銻,滿足RoHS標準的要求。兩款元件均可在低電壓下安全運作,適用於手機和超可攜式裝置。
 



快捷是可攜式技術的領先廠商,提供豐富的客製化類比和電源IP產品系列,以滿足特定的設計需求。利用將先進的電路技術整合在微型封裝中,該公司為可攜式產品用戶提供重要的優勢,同時能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。快捷可攜式IP已獲大部分手機採用。
 



快捷網址:www.fairchildsemi.com

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