快捷(Fairchild)開發出N通道PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件FDMS86500L，可滿足直流對直流(DC-DC)電源、馬達控制、熱插拔和負載開關應用，以及伺服器的次級同步整流應用，該元件之設計可減低傳導損耗和開關節點振鈴雜訊(Switch Node Ringing)，同時提升DC-DC轉換器的整體效率。
該元件採用業界標準5毫米×6毫米Power 56封裝元件，其結合先進封裝技術和矽技術，可降低導通阻抗導通電阻(RDSon) (2.5毫歐姆(mΩ)@源極電壓(VGS)=10伏特(V), 源極電流(ID)=25安培(A))，可帶來更低傳導損耗。此外，該元件使用遮罩閘極功率MOSFET技術，提供較低的開關損耗，結合該元件的低傳導損耗特點，能夠為設計人員帶來更高的功率密度以應需求。
該元件的其他特性包括採用下一代增強型自體二極體(Body Diode)技術以提供軟恢復功能；並採第一級濕度感應度(MSL1)穩固封裝設計；通過100%無鉗位電感性負載(UIL)測試，同時符合歐盟電氣、電子設備中限制使用某些有害物質指令(RoHS)環保標準。
該產品為快捷新型60伏特MOSFET產品系列的首款元件，此新型元件的推出，將進一步強化該公司中等電壓MOSFET產品系列。
快捷網址：www.fairchildsemi.com
