為協助設計人員面對減小設計空間和提高效率的挑戰，全球高性能電源和可攜式產品供應商快捷(Fairchild)半導體開發出PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)元件FDMB2307NZ。該元件具有能夠大幅縮小設計的外形尺寸，並提供所需的高效率。
FDMB2307NZ專門針對鋰離子電池組保護電路和其它超可攜式應用而設計，具有N通道共同漏極MOSFET特性，能夠達成電流雙向流動。
FDMB2307NZ採用先進的PowerTrench製程，具有高功率密度，並在VGS=4.5伏特，ID=8安培條件下具有最大16.5歐姆的Rss(on)，從而獲得更低的導通損失、電壓降和功率損失，而且具有比其它解決方案更高的整體設計效率。FDMB2307NZ還具有出色的熱性能，使得系統工作溫度更低，進一步提高效率。
新元件採用2毫米×3毫米2MicroFET封裝，為設計人員帶來現有其中一個最小的MLP解決方案，而且比目前常見的解決方案縮小40%，明顯節省客戶設計的線路板空間。FDMB2307NZ滿足RoHS要求，而且具有大於2千伏特的HBM靜電放電(ESD)防護功能。
快捷利用將先進的電路技術整合在微型封裝中，快捷半導體為可攜式產品用戶提供了重要的優勢，同時能夠減小設計的尺寸、成本和功耗。快捷半導體的可攜式矽智財(IP)已獲現今大部分手機採用。
快捷網址：www.fairchildsemi.com
