快捷半導體(Fairchild)的高壓場截止陽極短路(Shorted Anode)溝槽式絕緣閘雙極電晶體(IGBT)，為設計者提供高效且具有成本效益的解決方案。
高功率及高頻率感應加熱(IH)電氣用具，需要更低的傳導損失及最佳開關性能，以便在如IH電鍋、桌上型電磁爐，以及以逆變器為架構的微波爐等應用中實現更高效率及系統可靠性，快捷IGBT能解決這些技術難題。
新型產品系列的電壓範圍為1000～1400伏特(V)，透過內置反向並聯二極體進行優化，適用於軟開關(Soft Switching)應用。透過典型非崩潰(Non-Punch-Through, NPT)IGBT技術改進方案，快捷的陽極短路矽技術可提供更低飽和電壓，相較於具有相同額定電壓的NPT溝槽式IGBT可低12%以上。
此外，相較競爭者的IGBT產品，該產品系列可提供低於20%的拖尾電流等級。這些特點使快捷的先進IGBT能提供更佳的熱性能、更高的效率，並減少功率損失。
快捷網址：www.fairchildsemi.com
