快捷高壓MOSFET導入先進電荷平衡技術

2012 年 12 月 14 日

快捷半導體(Fairchild)透過引入600伏特(V)N-通道SuperFET II金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)系列,可提供設計者具成本效益的解決方案,並占用更小的電路板空間且提高可靠性,協助設計者應對高端交流對直流(AC-DC)開關電源(SMPS)應用如伺服器、電信、計算及工業電源應用需要高功率密度的挑戰。
 



該產品分為兩個系列,分別為SuperFET II及SuperFET II Easy Drive。這些MOSFET在輸出電容(Eoss)中儲存較少能量,從而在輕載條件下實現更高效率,並透過同級最佳的體二極體穩固(Robust)性能提高在諧振轉換器中的系統可靠性。
 



這些MOSFET採用先進的電荷平衡(Charge Balance)技術,提供極低的導通電阻和更低的閘極電荷(Qg)性能,因此品質因數(FOM)更低。這些元件包含多個整合性的特點,有助於在簡化設計中減少元件數量,從而獲得更高效率、更具成本效益的設計,其中包含一個閘極電阻器(Rg),能大幅降低閘極振盪並改進系統整體性能。
 



快捷網址:www.fairchildsemi.com

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