快捷半導體(Fairchild)的高電壓場截止陽極短路溝槽式絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)榮獲《今日電子》雜誌主辦的年度十大直流對直流電源產品獎，此為快捷半導體第七次榮獲此獎項，該類獎項認可在性價比以及理解市場需求方面取得的理想成績。
快捷半導體高電壓場截止陽極短路溝槽式IGBT能夠兼具效能及外型尺寸的優勢，可應用於快捷半導體推出的節能型功率類比積體電路(IC)、功率離散和光電解決方案，並於對節能要求需求極高的應用中實現效益最大化。
高壓場截止陽極短路溝槽式IGBT其電壓範圍為1,100～1,400伏特(V)，採用固有的反並聯二極體進行優化，適用於軟開關應用。隨著典型非穿通型(NPT)IGBT技術的進步，快捷半導體陽極短路矽技術提供更低的飽和電壓，與具有相同額定功率的NPT溝槽式IGBT相比，降低幅度超過12%。
另外，快捷半導體與競爭對手的IGBT產品相比，其產品系列提供較低的拖尾電流速率，降低幅度超過20%。快捷半導體的IGBT產品能夠提供更佳的熱性能、更高的效率和更低的功耗，對於需要較低傳導損耗和較高開關性能的家用電器來說是理想方案。
快捷半導體網址：www.fairchildsemi.com
