快捷(Farichild)宣布其MicroFET現在推出領先業界薄型封裝版本，以協助設計人員提升其設計性能。這款整合式P溝道PowerTrench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)與肖特基二極體元件FDFMA2P859T為單一封裝的方案，可滿足電池充電和功率多工應用中對效率和熱性能需求。
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| FDFMA2P859T設計能夠滿足業界對效率、空間和熱性能的需求。 |
相較於傳統的MOSFET元件，FDFMA2P859T具有良好的功率耗散和傳導損耗特性，且其封裝高度僅為0.55毫米，比產業的標準0.8毫米MicroFET降低了30%，適用於最新的可攜式手機、媒體播放器和醫療設備中常見的薄型設計。
FDFMA2P859T是專為滿足客戶設計需求所開發的一款產品，在緊湊的占位面積中提供良好的熱性能，並確保肖特基二極體在Vr=10伏特下保持1微安培(µA)的極低反向洩漏電流(lr)。這些特性可提升線性模式電池充電和功率多工應用的性能和效率。
快捷半導體網址：www.fairchildsemi.com
