快捷(Fairchild)針對600/650伏特(V)以上的崩潰電壓推出具800伏特的新產品系列–SuperFET II金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET)。該元件具備廣泛封裝選項及最低導通電阻(RDS(ON))與輸出電容(Coss)，協助設計人員改善效率、成本效益與可靠度，減少元件數量、精簡機板空間。
Fairchild技術行銷主任工程師Wonhwa Lee表示，製造商能運用該系列改善產品效率及可靠度。因為新產品具備優異的切換效能與低電阻；並使用最新的超接面技術，使其具備比以往更小的體積與更高的效率；內建耐高dv/dt條件的二極體，可提高工業橋接電路的可靠度。
新系列適合許多不同的應用，為設計人員帶來極大彈性，特別適合尺寸有限的設計。關鍵應用包括發光二極體(LED)照明、LED電視電源及家庭劇院音訊設備、變壓器、伺服器、工業電源與其輔助電源供應器，以及微太陽能逆變器。另外，該新品由二十六項裝置所組成，其通導電阻範圍從4.3歐姆(Ω)Ohm起，最低可至60 毫歐姆，皆包含在廣泛的標準封裝選項之中，為設計人員帶來更多選擇和彈性。例如， FCD850N80Z為DPAK封裝且具850毫歐姆RDS(ON)，其RDS(ON)減少6～11%，且Coss(400伏特)減少8～13%，非常適合需要低電阻且空間有限的LED照明應用。
快捷網址：www.fairchildsemi.com
