恩智浦半導體(NXP)宣布推出採用DFN2020-6(SOT1118)無鉛塑膠封裝的精巧型中功率電晶體和N-channel Trench金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)產品–PBSM5240PF。DFN2020-6 (SOT1118)無鉛塑膠封裝面積僅2×2毫米，高度為0.65毫米，特別針對目前行動設備等高性能消費產品的微型化發展趨勢而設計。
恩智浦產品經理Joachim Stange表示，對於可擕式設備領域而言，小訊號電晶體(BISS)/MOSFET解決方案的獨特之處與魅力即在於其精巧的占位面積、出色的性能、散熱性及無鉛封裝。此款整合式的封裝產品最高可支援40伏特電壓，非常適合應用於目前日益微型化的小型行動設備中。對於此類設備產品，高度和印刷電路板(PCB)空間皆為設計考慮的關鍵因素，每一毫米皆至關重要。
Stange指出，作為業界首款整合低VCE(Sat)BISS和Trench MOSFET的二合一型產品，PBSM5240PF不但可節省PCB空間，同時具備出色的性能。傳統的BISS/MOSFET解決方案通常須採用兩個封裝，相較之下，PBSM5240PF可減少超過50%的電路板占用面積，同時使封裝高度降低10%以上。此外，DFN2020-6(SOT1118)封裝亦整合一個散熱器，使散熱性能提升25%，進而可支援高達2安培的電流，並達成較低的功耗。
PBSM5240PF可做為可擕式電池充電電路的一部分，適用於手機、MP3播放器以及其他可擕式設備，也可應用於需要出色散熱性能、較高電流支援與占用面積小的負載開關或電池驅動設備中。
恩智浦網址：www.nxp.com
