恩智浦發布600瓦LDMOS射頻功率電晶體

2010 年 10 月 04 日

恩智浦(NXP)宣布推出廣播發射器及工業用的600瓦LDMOS超高頻(UHF)射頻功率電晶體BLF888A。恩智浦BLF888A為目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發射器電晶體,支援470~860MHz的完整超高頻DVB-T訊號,平均輸出功率120瓦,效率可達31%以上。出色的線性度,21Db的高增益及傑出的耐用性,駐波比(VSWR)大於 40:1,使BLF888A成為DVB-T等進階數位發射器應用的理想選擇。恩智浦將於2010年9月26日~10月1日法國巴黎舉辦的歐洲微波展(European Microwave Week)上正式推出BLF888A(攤位號:194)。
 



恩智浦射頻功率產品行銷總監Mark Murphy表示, BLF888A是一款非常特別的產品,實現耐用性、寬頻功率與工作效率的最佳化整合。過去設計人員只能對這些參數進行平衡,始終無法提出最佳解決方案。現在有了BLF888A,全球廣播發射器工程師可放心將自己的射頻系統性能最佳化,毋須再擔心功率電晶體問題。
 



恩智浦50伏特高壓LDMOS製程技術及熱管理概念為BLF888A帶來出色的性能表現,達到前所未有的功率密度及0.15K/W超低熱阻的新突破。透過BLF888A電晶體,廣播設備製造商可將現有與新設置的發射器系統達到最佳化,提高產品性能,降低擁有成本。此外,BLF888A與BLF881驅動器電晶體的優異整合,將符合全系列功率放大器產品的需求。
 



BLF888A提供兩個封裝版本:螺栓式封裝(BLF888A)及無耳式封裝(BLF888AS),新封裝使印刷電路板(PCB)設計更加小巧。另外,BLF888AS還能在更低的接點溫度下焊接。
 



恩智浦網址:www.tw.nxp.com

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