為加速設計具卓越效率與高功率密度的氮化鎵(GaN)電源供應器(PSUs)，意法半導體推出了搭載MasterGaN1L系統封裝(SiP)的EVL250WMG1L共振轉換器參考設計。
MasterGaN SiP將氮化鎵功率元件與專為快速開關控制而最佳化的閘極驅動器結合，取代傳統的離散元件，提升效能與可靠性，並縮短設計周期，同時節省PCB空間。
此參考設計專為空間有限且對效率要求極高的工業應用所打造。結合包含兩顆650V 150mΩ氮化鎵(GaN) FET的MasterGaN1L與L6599A共振控制器，該電源供應器可達到超過94% 的峰值效率，且主端無需散熱器即可運行。該設計也搭配SRK2001A同步整流控制器，使整體尺寸縮小至80mm x 50mm，並達到34W/inch³的優異功率密度。
該電源供應器可提供最高10A的輸出電流，相當於在24Vdc下達到250W，並且待機電流消耗低於1µA，提供優異的節能效能。L6599A和SRK2001A內建的保護功能能夠有效防止過電流、短路和過電壓，並且透過輸入電壓監控確保正確啟動及欠壓鎖定保護。
EVL250WMG1L現已上市，完全組裝並可供評估使用。完整的相關文檔已發表於www.st.com/evl250wmg1l，幫助系統設計師加速氮化鎵(GaN)電源專案的開發。
