意法半導體(STMicroelectronics)推出超結型MDmesh V系列– STW88N65M,新產品的導通電組(On-Resistance Per Area)僅為0.029歐姆,是標準TO-247封裝650伏特市場上導通電組最低的產品,打破同是MDmesh V之0.038歐姆的原產業指標。
其實,MDmesh V系列的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)之高壓功率已打破世界記錄,其擁有每單位面積最低的導通電組,使能在650伏特額定電壓應用中實現最高的能效和功率密度。
然而,新產品有過之無不及地提高能效指標至23%以上,對以熱量形式損耗電能的系統功率轉換電路,如電子照明控制器、消費性電子電源和太陽能電力轉換器,能為其在節能技術領域跨大步。設計工程人員可將新產品替代導通電組較高的MOSFET,以提高終端應用的能效,或置入更少的MOSFET電晶體,從而減少封裝尺寸並降低材料(BOM)成本。
功率電晶體市場總監Maurizio Giudice表示,新記錄鞏固意法半導體在超接面(Super-Junction)MOSFET市場的地位,MDmesh V展現意法半導體最新經市場驗證的多重漏極網格(Multi-Drain Mesh)技術,新產品的更高性能降低應用設計能耗。
值得注意的是,該公司MDmesh V系列產品擁有高安全範圍,能提高MOSFET對交流(AC)電力線上一般一邊突波電壓的承受能力。已上市的新產品,採用多種類型的封裝,包括Max247、TO-247、D2PAK、TO-220/扁平封裝(Flat Package, FP)、PowerFLAT 8×8 HV以及I2PAK。
意法半導體網址:www.st.com