意法半導體(ST)宣布，電機電子工程師學會(Institute of Electrical and Electronics Engineering, IEEE)授予意法半導體IEEE里程碑獎，表彰其在整合矽閘半導體製程技術領域之研究成果。意法半導體的BCD技術可單晶片整合雙極製程高精密類比電晶體、CMOS製程高性能數位開關電晶體和高功率DMOS電晶體，適合複雜、具大功率需求的應用。多年來，BCD製程技術已賦能硬碟驅動器、印表機和汽車系統等終端應用獲得突破性的發展。
在意法半導體Agrate工廠舉行之即時/線上揭牌儀式中，IEEE義大利分部人道主義活動委員會協調人暨前秘書Giambattista Gruosso，以及意法半導體總裁暨執行長Jean-Marc Chery共同揭開了IEEE里程碑牌匾。該牌匾將放置於意法半導體在義大利米蘭市近郊之兩個曾經承擔多矽閘多功率BCD開發運作的義大利Brianza的Agrate工廠和義大利米蘭Castelletto工廠的大門口。
SGS(現為意法半導體)率先採用單晶片整合雙極型電晶體、CMOS電晶體和DMOS電晶體(BCD)的超級整合矽閘極製程，解決複雜、具大功率需求的應用設計挑戰。首個BCD超級積體電路L6202可控制最高60V-5A的功率，開關頻率300kHz。隨後的汽車、電腦和工業自動化廣泛採用了這項製程技術，讓晶片設計人員能夠靈活、可靠地單晶片整合功率、類比和數位訊號處理電路。
