意法半導體(ST)推出採用先進PowerFLATTM 5×6雙面散熱(Dual-Side Cooling, DSC)封裝的MOSFET電晶體(STLD200N4F6AG/STLD125N4F6AG)，新品可提升汽車系統電控單元(Electronic Control Unit, ECU)的功率密度，已被汽車零配件大廠電裝株式會社(Denso)所選用，該公司提供全球所有主要車廠先進的汽車技術。
此兩款為40V功率電晶體，可用於汽車馬達控制、電池極性接反保護和高性能功率開關。厚度0.8mm的PowerFLAT 5×6 DSC封裝，保留了標準封裝的尺寸和高散熱效率的底部設計，同時將頂部的源極顯露於在外部，以進一步提升散熱效率。該設計讓內部晶片有更高的額定輸出電流，並提升功率密度，讓設計人員能夠研發更小的電控元件，而無須在功能、性能和可靠性之間做出取捨。
該兩款電晶體最大吸極電流(Drain Current)為120A，而最大導通電阻則分別是1.5mΩ和3.0mΩ，其確保高效、簡化系統熱管理。此外，總柵電荷分別為172nC和91nC，元件本身電容極低，這有助於在高速開關時提升效能。
此兩款40V MOSFET元件，採用意法的STripFET F6技術和溝槽式閘極結構，額定電流和電壓範圍寬廣，適用於汽車產品。新款MOSFET可用在極其惡劣的工作環境，包括最高175°C的發動機艙。這些產品100%經過雪崩額定值測試，其封裝的可潤濕側翼引線可實現最佳焊接效果，並完全支援自動光學檢查。
