意法半導體(ST)新推出之STPOWER MDmesh M9和DM9矽基N通道超接面多汲極功率MOSFET電晶體適用於設計資料中心服務器、5G基礎建設、平面電視的交換式電源供應器(SMPS)。
650V STP65N045M9與600V STP60N043DM9為首批上市的兩款元件，其單位面積的導通電阻(RDS(on))非常低，可以最大限度提升功率密度，並有助於縮減系統尺寸。兩款產品的最大導通電阻(RDS(on)max)皆領先同類產品，STP65N045M9為45mΩ，STP60N043DM9則為43mΩ。由於閘極電荷(Qg)十分低，在400V汲極電壓時的典型值為80nC，兩款元件皆擁有目前市面上一流的RDS(on)max x Qg品質因數(FoM)。
STP65N045M9的閘極閾開啟電壓(VGS(th))典型值為3.7V，STP60N043DM9的典型值則為4.0V，相較上一代的MDmesh M5和M6/DM6，可最大限度地降低開關損耗。MDmesh M9和DM9系列的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr)亦極低，有助於進一步提升效能和開關性能。
意法半導體最新高壓MDmesh技術另一特點是增加鉑擴散製程，確保體反應速度快的寄生二極體。該二極體恢復曲線(dv/dt)峰值高於早期製造技術。MDmesh DM9全系列產品皆具非常高的穩定性，在400V電壓時可耐高達120V/ns的dv/dt曲線。
意法半導體新MDmesh M9和DM9產品STP65N045M9和STP60N043DM9均採用TO-220功率封裝，現已量產，2022年第二季末將由代理商銷售。2022年底前還將增加標準貼裝和通孔封裝。
