儘管三維晶片(3D IC)在近期掀起陣陣旋風，不過由於技術門檻與應用環境尚未成熟，預期射頻(RF)晶片大幅採用3D IC的封裝技術還要等上兩年。
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| 愛美科事業發展經理李宗正認為，雖然可攜式通訊產品與消費性電子是推動3D IC技術起飛的重要應用，但受限於技術發展腳步，射頻元件要導入3D IC尚需一段時間。 |
比利時技術研究單位愛美科(IMEC)事業發展經理李宗正指出，雖然3D IC具有縮短內部連接線、縮小晶片尺寸、高度整合與低廉成本等多項優勢，但由於受限於射頻訊號容易互相干擾、應用環境尚未成熟，以及業界對3D IC認識程度仍不足等多項挑戰，要看到射頻晶片走向3D IC的道路，恐怕至少還要兩年。
3D IC係採用矽穿孔(TSV)技術，讓原始矽晶圓進行穿孔，並將導電物質充填其中，而完成訊號傳遞。這項技術的好處雖可大幅降低晶片尺寸，有助縮小終端產品外型，但也因晶片間距離縮短，導致訊號干擾問題變得更加棘手。因此，李宗正認為，3D IC初期應用將聚焦在如動態隨機存取記憶體(DRAM)、快閃記憶體等類型產品，也有一定比例為互補式金屬氧化物半導體(CMOS)影像感測器(Image Sensor)，以及一部分的微機電系統(MEMS)產品。
根據市調單位Yole的報告，記憶體類型產品在2009～2012年將占3D IC主要應用之五成以上；而2015年全球記憶體市場也將被預期有超過25%會以3D IC為主要封裝技術。
而除了3D IC以外，目前亦有不少業者陸續投入在射頻晶片與系統級封裝(SiP)之整合。一般認為，由於3D IC尚屬先進技術，因此多半要等到射頻元件大量普及在SiP應用後，才有向上發展的空間。
