Plessey宣布開發出可實現高效能、高品質且可大量生產的大尺寸矽基氮化鎵(GaN-on-Si)發光二極體(LED)晶片，將在近期於倫敦舉辦的Lux Live照明展中展出，，藉此提高客戶的採購意願並思考可發揮的最佳應用。
Plessey市場行銷總監David Owen表示，下一波通用照明產品中，將會看到透過該公司先進的GaN-on-Si技術為LED應用帶來的價值。在產品初期發展階段，Plessey將會與重要的客戶採用該公司大尺寸GaN-on-Si LED晶片共同打造照明商品。
Plessey主要係借重三大核心製程技術研發出大尺寸GaN-on-Si晶片，其一是低熱阻的矽；再搭配單表面、發射極(Emitter)晶片設計及6吋晶圓製程。目前該公司已利用大尺寸GaN-on-Si晶片優勢，生產出20平方毫米的晶片設計(4.5毫米×4.5毫米)，其將產生5瓦、波長在400～480範圍的藍光。
大尺寸的LED晶片能帶給客戶更多助益，特別是為COB(Chip-on-Board)產品提供更簡單、更均勻的光發射極，同時減少晶片黏接和打線(Wire Bond)開銷；以及低熱阻的矽基將更容易進行熱管理，且在低溫運作之下，可強化可靠度。此外，該晶片具有頂部陰極和底部陽極接觸的垂直設計結構，有助於大尺寸LED晶片開發。不僅如此，Plessey更借助6吋晶圓加工製程，投產出高度一致性的晶圓，助力達到商用化目標。
Plessey的高亮度LED技術MaGIC(Manufactured on GaN-on-Si I/C)可藉由標準矽製造技術來減低LED照明的成本，已贏得無數獎項。
