聯電第二季續創佳績。繼第一季以40奈米(nm)先進製程，刺激毛利率顯著回溫後，聯電第二季因成功掌握一波亞太區IC設計業者對28奈米和特殊製程的需求，營收和毛利率皆再上層樓，分別季增14.8%和3.2%，且產能利用率亦從上季的78%攀升至85%；預估此一成長動能可望延續至今年第三季，並帶動晶圓出貨片數再提高3～4%，而營收表現也將微幅加溫。
 |
| 聯電執行長顏博文認為，聯電2013年第二季整體營運表現優於預期，而第三季也可望延續成長動能。 |
聯電執行長顏博文表示，聯電今年第二季營收成長超越傳統季節性的表現，主因除了高毛利的65奈米以下先進製程占營收比重持續提高外，在中國大陸行動運算相關晶片代工，以及特殊高壓和客製化製程市場亦有所斬獲，挹注晶圓出貨成長動能。此外，聯電旗下的和艦八吋廠在中國的營運狀況和產能利用率更處於高峰，現正朝0.15微米(µm)以下製程邁進，以提高未來的接單能力。
事實上，在台灣和中國大陸行動處理器、無線區域網路(Wi-Fi)晶片需求帶動下，聯電40奈米占營收比重較前一季再增加2%，來到20%占比新高；同時，該公司近期在新加坡12吋廠建置高階特殊製程研發中心，並持續加碼設備、開發工具與研發投資，已成功吸引大量觸控IC、電源管理晶片(PMIC)、影像訊號處理器(ISP)、CMOS影像感測器(CIS)和液晶顯示(LCD)驅動IC客戶投片，目前特殊製程已占整體營收高達三成比重。
顏博文強調，近來中國大陸IC設計業者對65、40奈米及高壓特殊製程的需求相當強勁，下單踴躍，遂激勵聯電加緊擴產，並與客戶投入早期研發合作，打造客製化製程服務。由於聯電提供完整製程服務與多元平台選項，因此已順利獲得該地區許多客戶青睞，是第二季營收加溫的一大因素。
據悉，聯電中國大陸營收占比已上升至10%，預估未來還可繼續上揚。隨著中國大陸晶片商加速往28奈米製程邁進，聯電亦部署28奈米低功耗Poly/SiON和高效能高介電係數金屬閘極(HKMG)兩大製程，做為擴張事業版圖的重要武器。該公司現已開始供應28奈米Poly/SiON方案，並備妥一萬片月產能，產線全面滿載，預估至今年第四季可望占總營收1～2%水準；至於28奈米HKMG則將於明年首季量產。
顏博文透露，聯電28奈米量產製程採用與台積電相同的閘極後製(Gate-last)方案，相較於其他晶圓代工競爭對手的閘極先製(Gate-first)技術，較易與目前市場上的晶片設計接軌，因此在開始運轉後，旋即成為國際晶片大廠投產28奈米的第二選擇；並已逐漸成為第二波28奈米導入業者的首選，現已與數家客戶進入Design in階段。
隨著時序進入第三季旺季，聯電營運可望再繳出優異的成績單。顏博文指出，第三季該公司先進製程占比還會再攀高，且特殊製程產品陣容和合作案將更加多元，將使營業利益率達到6～9%，優於第二季3.6%的表現；而毛利率和產能利用率也將維持與第二季相同的水準。
