65奈米晶片檢測暨絕緣材料發展(下)

挾高良率/低容量/高可靠性 NCS銅多層導線獲青睞

作者: 高聖弘
2008 年 04 月 16 日
半導體大型積體電路(LSI)遵循摩爾(Moore)法則持續朝超微細化方向發展,目前伺服器等高速微處理器(MPU)與行動電話使用的先端LSI元件設計規則是90奈米,2005年以後各半導體廠商開發的次世代LSI元件,陸續跨足65奈米超微細領域,因此國外廠商推出65奈米世代LSI用、2.25低比誘電率、彈性率高達10GPa,具備高機械強度的多孔(Porous)Low-k材料,與奈米群二氧化矽(NCS)等先進絕緣材料。
》想看更多內容?快來【免費加入會員】【登入會員】,享受更多閱讀文章的權限喔!
標籤
相關文章

鋁質電解電容器功能局限 積層/薄膜電容器方案趁勢崛起

2006 年 12 月 29 日

導電高分子技術邁大步 輕薄需求催生軟性電子

2007 年 01 月 29 日

力促LED照明光源成形 GaN高輝度白色光源技術問世

2007 年 03 月 02 日

改善基地台布建不足 WiMAX中繼台技術扮要角

2008 年 02 月 04 日

滿足ADAS訊號處理需求 先進記憶體實現車聯網應用

2014 年 12 月 18 日

藍牙Mesh技術解析(上) 了解藍牙特點實現智慧應用

2018 年 08 月 27 日
前一篇
照明應用日漸廣泛 LED量測技術/標準化重要性突顯
下一篇
Maxim推出Pre-emphasis驅動器