排除多重技術障礙　SiC MOSFET模組設計上手

2022 年 05 月 16 日
功率半導體的並聯分成幾個層級， 最常見的是功率模組內部的晶片層級，這些層級可以達到更高的額定電流。其根據是，晶片只能設計為限定的額定電流，因此需要並聯多個晶片才能達到所需的額定電流。並聯可發生在單獨的模組層級，例如將六開關模組的三個支路並聯，便能建立一個額定電流為單獨支路三倍的半橋模組。另外，也可以採使用多個獨立封裝(例如TO-247)或一起切換的模組的形式，這裡將聚焦在後者的並聯範例。...
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