快捷(Fairchild)正式加入碳化矽(SiC)功率半導體元件戰局。繼科銳(Cree)、英飛凌(Infineon)、羅姆(Rohm)、意法半導體(ST)等半導體大廠後，快捷首款SiC功率半導體元件–雙極電晶體(BJT)亦預定於2013年導入量產，將與其他SiC功率半導體供應商爭食5kW以上高瓦數應用市場大餅。
 |
| 快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅表示，快捷首款SiC BJT開關損耗低，故能提供最高轉效率的電源開關。 |
快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅表示，電力電子設計人員於再生能源、馬達控制、電動車等5kW以上高瓦數應用，面臨降低功率損耗和提高效率的挑戰加劇，將激勵能實現更高轉換效率的SiC功率半導體需求看漲，也因此，快捷已透過收購TranSiC掌握SiC BJT技術能量，正逐步透過微調製程突破量產關卡，計畫於明年委外代工，屆時將成為全球首家投產SiC BJT的半導體廠商。惟目前委外代工的廠商尚不便對外透露。
根據市調機構IMS Research預估，2011～2021年SiC功率半導體市場產值成長超過二十倍，至2021年產值將高達20億美元，主要成長力道來自5kW以上高瓦數應用，包括風力發電、太陽能逆變器(Inverter)、不斷電系統(UPS)等。
不同於其他功率半導體供應商大舉部署二極體(Diode)、接面場效電晶體(JFET)及金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)三大SiC功率半導體元件，快捷選擇進軍SiC BJT市場。藍建銅指出，快捷專攻SiC BJT的考量其一係購併擁有SiC BJT技術的廠商，再者是期望成為SiC功率半導體特定領域的技術領先者。
現階段，SiC功率半導體價格仍高於傳統矽功率半導體元件。藍建銅強調，現今，SiC功率半導體單價達十幾美元，與傳統矽功率半導體元件價差高達十倍之多，不過SiC功率半導體具備高密度與高轉換效率優勢，特別是在5kW以上應用，能比傳統矽功率半導體元件印刷電路板(PCB)省下過半數量的被動元件，如電容、電感等，因此整體物料清單(BOM)成本可降低20%，同時尺寸縮小30～50%。
一旦SiC BJT價格持續調降，未來將有機會擴大在功率半導體的市場滲透率，並加快取代在5kW以上應用領域的絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)市占，藍建銅認為，若要縮減SiC BJT製造成本，提高製程良率將是首要之務，將成為快捷今後戮力耕耘的技術重點。
