為實現零缺陷的極紫外光(EUV)光罩，光罩缺陷檢測系統不可或缺。有鑑於EUV前景可期，科磊(KLA-Tencor)正試圖透過與SEMATECH策略結盟發展光罩缺陷檢測系統，以加速EUV技術成熟，並藉此卡位EUV市場先機。
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| 科磊行銷長Brian Trafas表示，光罩缺陷檢測系統對於EUV技術成熟的發展至關重要。 |
科磊行銷長Brian Trafas表示，目前EUV技術成熟的時間點仍持續延宕，其中零缺陷的EUV光罩即為一大技術桎梏，因而為科磊提供進軍EUV市場的絕佳機會，透過與半導體業者SEMATECH攜手開發光罩缺陷檢測系統，將有助加快EUV技術成熟的腳步。
目前，科磊已加入SEMATECH在奈米科學與工程學院(CNSE)奧爾巴尼分校的微影減少缺陷方案，該公司將於降低缺陷中心投入EUV工具和材料技術研發。
EUV藉由較目前的微影技術系統使用波長短十五倍的方式，使半導體擴展至10奈米甚至更小的解析度。著眼於眾多半導體供應商預計將於2012～2013年推出22奈米製程，屆時為使先進微影技術達成大量生產目標，更低的缺陷密度將為關鍵，此次科磊與SEMATECH的策略合作重點將放在減少光罩缺陷、度量基礎建設、度量源發展、量產及可擴展性。
科磊總裁暨執行長Rick Wallace指出，科磊樂見與合作夥伴SEMATECH開發新的測量能力，以解決根本的缺陷檢測和還原過程，此對於EUV基礎建設至關重要。
