車用電子廠商正積極在電動車領域導入新興製程材料氮化鎵(GaN)，期望能發揮其崩潰電壓高、可靠度高的特性，藉以提升高功率元件效能；不過，該材料價格仍居高不下，因此安森美(ON Semiconductor)亦持續投資現有矽(Silicon)材料製程，以維持高功率元件價格水準。
安森美半導體技術長暨資深副總裁Hans Stork表示，一般來說電動車的標準伏特數為600伏特，不過從功率元件輸出電壓到電池的過程中會經過層層轉換和大量耗損，因此積體電路(IC)的伏特數通常被要求為應用領域的四到五倍。
傳統的BCD(Bipolar CMOS DMOS)製程晶圓廠大多以供應消費性電子產品為主，無法滿足電動車對高功率元件的需求。Stork舉例，以車用為主的BCD製程大多高於100伏特，但若是供筆記型電腦用的元件電壓範圍僅在20～50伏特。
高效、節能的電動車是車電業者積極發展的熱門應用，卻也考驗業界要如何將高電壓的功率元件放入現有製程，並同時滿足電動車對功率元件的功率需求。GaN材料能為元件製程提供比矽更好的效能及可靠性，恰好是車用領域最看重的兩大特性，不過該材料目前最大的市場商轉瓶頸就是價格，同樣是6吋製程，GaN和矽材料價格相比就差了十倍之多；而矽材料發展已久，生態系統完整，價格低，對於元件製造商而言還是現階段的發展重心。
Stork也表示，安森美研發部門目前在矽和GaN兩大材料的研究比例為七比三，畢竟矽在市場價格上更占上風，未來若獲得政府補助將有可能提高GaN比例至50%。除了投資GaN以滿足未來高電壓應用需求，安森美還是希望能最大化矽製程的成本效益，因此致力於薄化矽晶片技術，以達最佳的導通電阻效果；同時也計畫從6吋矽製程邁向8吋晶圓製程，一舉提升矽製程的營收獲利。
