晶圓廠正積極拓展亞洲市場布局。看好亞洲對行動和物聯網(IoT)裝置晶片的強勁需求，可望帶動先進奈米製程及類比混合訊號製程商機，主要晶圓廠正紛紛投資擴產。其中，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)近期更攜手三星(Samsung)，推進14奈米鰭式電晶體(FinFET)商用腳步，並加速推動新加坡8吋廠轉型計畫，期增加12吋晶圓產能，以提高類比混合訊號等特殊製程的成本競爭力。
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| 格羅方德新加坡廠區資深副總裁暨總經理洪啟財認為，中國大陸IC設計業者在國家政策扶植下快速崛起，未來格羅方德將持續在該市場投注技術資源，爭取更多新秀晶片商青睞。 |
格羅方德新加坡廠區資深副總裁暨總經理洪啟財表示，行動和物聯網裝置開發商致力追求高整合、低功耗和小尺寸設計，不僅刺激晶圓代工產業奮力邁進28奈米以下先進製程節點，亦帶動嵌入式快閃記憶體(Flash Memory)、電源管理晶片(PMIC)、射頻天線(RF Antenna)、顯示器驅動和車用晶片等所需的40～180奈米類比混合訊號特殊製程需求高漲，因而激勵晶圓廠加緊擴充產能。
以台積電為例，近年即不斷拉升資本支出，強攻28/20奈米高介電係數金屬閘極(HKMG)、16奈米FinFET與3D IC等先進邏輯製程，以滿足處理器廠開發更高整合度系統單晶片(SoC)的需求。同時，台積電董事長張忠謀也提到，物聯網火速發展，可望掀動下一波半導體業的巨幅成長，而相關設備所需的感測器、PMIC和射頻晶片等皆須運用類比混合訊號特殊製程，因此該公司亦積極部署新一代高壓(HV)、微機電系統(MEMS)和各種RF材料製程產線，以搶占市場先機。
無獨有偶，格羅方德亦分頭擴張先進邏輯、類比混合訊號特殊製程產線。洪啟財透露，該公司位於德國的Fab 1廠，目前已達到每月五到八萬片28奈米晶圓出貨；而近期與三星展開合作後，旗下美國紐約Fab 8廠，更可望在今年底到明年初開出每月6萬片的20和14奈米產能，給予一線處理器大廠強力支援。
至於類比混合訊號製程方面，格羅方德則利用2013年購入茂德的12吋廠設備，促進其新加坡Fab 6從8吋轉型成12吋廠，以提升技術和成本競爭力。洪啟財強調，在行動和物聯網產品出貨急速成長的帶動下，晶圓廠近期在PMIC、RF晶片和驅動器的訂單可說是應接不暇，幾乎各家的8吋廠皆處於滿載狀態；著眼於此，格羅方德遂率先啟動8吋廠轉型計畫，期利用切割效率較佳，且具長期投資效益的12吋晶圓，快速衝高40～90奈米特殊製程產能。
據悉，格羅方德Fab 6廠可望於今年底完成全線轉換，並將挹注每月2萬片12吋晶圓產能，促進其8吋和12吋晶圓出貨占比，從六成/四成翻轉為四成/六成，以強化各種類比混合訊號IC的接單能力。現階段，該公司在亞洲IC設計市場也取得不錯成績，分別與MagnaChip和東芝(Toshiba)合作開發55奈米高壓製程，以及40和65奈米低耗電FFSA(Fit Fast Structured Array)方案。
洪啟財分析，未來晶圓廠追求「Leading Edge」技術應分為兩個層面，一是針對SoC設計，加快奈米製程演進腳步，以大幅縮減晶片線寬；另外則是因應電源或RF等類比解決方案，以最合適的製程節點開發特殊材料和生產技術。不僅如此，隨著IC設計商降低製造成本的需求日益殷切，晶圓廠全面轉向12吋晶圓生產將是大勢所趨；預期該公司新的12吋廠在年底加入生產行列後，將大幅增進在亞洲IC設計市場的影響力。
