英飛凌(Infineon)宣布將在馬來西亞居林工廠擴建第三個廠區，新廠區將專門用來生產碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體元件，並進一步鞏固其在功率半導體市場的地位。英飛凌預估，新產能投產後，每年將可為公司創造20億歐元的收入。
此次擴建是英飛凌根據公司半導體生產製造長期戰略而做出的決策，居林工廠在8吋晶圓生產方面所取得的規模經濟效應為該專案打下了良好的基礎。英飛凌位於奧地利菲拉赫和德國德勒斯登的12吋晶圓廠奠定了公司在半導體市場的領導地位。居林工廠的投資擴產將進一步鞏固和提升這一領先地位，強化公司整體的競爭優勢。這種競爭優勢的形成來自於英飛凌「從產品到系統」的戰略方針，以及在該方針指引下所實現的技術領先性、全面的產品組合以及對應用的深刻理解。
英飛凌營運長Jochen Hanebeck表示，創新技術和再生能源的運用，是降低碳排放的關鍵。再生能源和電動汽車是推動功率半導體市場持續強勁增長的主要驅動力。英飛凌透過擴大碳化矽和氮化鎵功率半導體的產能，為迎接寬能隙半導體市場的快速發展做好準備。我們正在將位於菲拉赫的開發能力中心與居林工廠高成本效益的寬能隙功率半導體生產製造相結合，打造成功的組合。
兩處擁有寬能隙半導體量產能力的工廠將增強供應鏈彈性
目前，英飛凌已向 3,000 多個客戶提供基於碳化矽的半導體產品。這些半導體產品在效率、尺寸和成本方面具有比矽基半導體更優異的系統性能，被廣泛應用於各個領域，為客戶創造了更高的價值。英飛凌秉承「從產品到系統」的戰略方針，擁有領先的基礎技術、豐富的產品組合與封裝工藝，以及無與倫比的應用專長，推動了碳化矽半導體在工業電源、太陽能、交通運輸、驅動、汽車和電動車充電等核心領域的應用。英飛凌目標至本世紀 20年代中期，碳化矽功率半導體的銷售額將提升至10億美元。同時，氮化鎵市場預計也將迎來激增，從2020年的4,700萬美元增至2025年的8.01億美元，年複合增長率(CAGR)達到76%。英飛凌對系統和應用的理解領先業界，擁有廣泛的氮化鎵智慧財產權組合，以及強大的研發實力。
居林新廠區滿負荷運轉之後，將創造900個高價值型就業機會。新廠區將於今年6月開始施工，在 2024 年夏季進行設備安裝。首批晶圓將於2024年下半年開始出貨。對居林工廠的新增投資主要用於磊晶製程和晶圓切割等具有高附加值的環節。
菲拉赫將進一步強化其寬能隙半導體技術全球能力中心的角色
未來幾年，菲拉赫工廠將透過改造現有的矽晶圓製造設備，進一步強化其作為寬能隙半導體技術全球能力中心和創新基地的角色。透過重新利用非專用的矽晶圓生產設備，將6吋和8吋的矽晶圓生產線轉作為碳化矽和氮化鎵元件的生產線。菲拉赫工廠目前正為迎接進一步的增長機會做準備。
