不同於聯發科、博通(Broadcom)等處理器大廠自行開發產品的模式，高通(Qualcomm)則與獨立型無線充電晶片商如IDT和安森美(On Semiconductor)展開合作，共同設計多模無線充電接收器(Rx)與傳送器(Tx)晶片，以加速拱大無線充電市場大餅。
高通產品管理資深總監Mark Hunsicker表示，該公司已先後與IDT、安森美達成協議，將共同開發第一代和第二代整合磁感應(Magnetic Induction)和磁共振(Magnetic Resonance)技術的多模無線充電Tx和Rx晶片，而最後的晶片所有權將歸高通所有。
Hunsicker指出，高通將以上述晶片為基礎，開發出完整的Rx和Tx參考設計並提交給無線電力聯盟(A4WP)進行認證，再提供給授權廠商，以滿足眾多品牌客戶對多模無線充電方案的需求。
高通同時布局多模無線充電的Rx和Tx，主要目的係建置完整的系統，讓無線充電在智慧型手機、平板裝置等產品皆可順暢運作，且合乎法規要求，並加速市場普及。至今，高通已有兩款Tx產品通過A4WP認證。
Hunsicker認為，多模方案存在的時間應該會歷經兩代智慧型手機，以每一代智慧型手機的產品生命週期約18～24個月推估，兩代時間約達48個月，這段時間終端消費者會使用雙模無線充電模式的產品；而在過渡期之後，支援單模磁共振的智慧型手機數量將會大增。
也因此，Hunsicker強調，該公司針對無線充電市場主要仍最關注磁共振標準的發展，事實上，現階段已有不少原始設備製造商(OEM)在開發支援單模A4WP磁共振無線充電技術的智慧型手機。
