英飛凌(Infineon)日前豪擲30億美元購併國際整流器(IR)，創下該公司有史以來最高收購金額，藉此接收國際整流器先進的氮化鎵(GaN)、絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)等功率半導體產品線、核心技術及銷售通路，強化在各種功率半導體應用領域的市場地位。
英飛凌執行長Reinhard Ploss表示，收購國際整流器是一個不可多得的機會；國際整流器公司的員工對於客戶需求的豐富經驗與應用的掌握度，將有助英飛凌從功率半導體至系統方案的戰略性發展。兩家公司的產品、技術、創新的整合，以及銷售通路的實力，日後將會發揮巨大的潛力。
英飛凌將國際整流器納入麾下，將是其擴張市場勢力版圖的關鍵一著。透過此收購案，英飛凌不僅能讓旗下的功率半導體產品更具經濟規模，並擁有更大的銷售市場，日後亦能提供客戶更廣泛的創新產品和服務。
更重要的是，國際整流器擁有標榜低功耗和高效能的IGBT、智慧化功率模組(Intelligent Power Module)、金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、數位電源管理IC及GaN功率半導體的產品線和研發能量，與英飛凌的電源管理方案產品組合有極高的互補性。另外，雙方合併後，也將進一步加速提高英飛凌在300毫米(mm)薄晶圓的產能。
其中，GaN功率半導體可提供較傳統MOSFET更高的效率和切換速度，能迎合太陽能逆變器、電動車鋰電池等高效能電子產品的性能訴求，早已是功率半導體廠群起攻之的市場，英飛凌當然亦不例外。
也因此，英飛凌購併國際整流器後，可望加速鞏固在GaN分離元件和系統方案市場的地位，並持續增強此具備重要戰略意義的技術平台能量。此外，本次交易亦將讓英飛凌成為可提供完整矽、碳化矽(SiC)及GaN功率半導體元件和IC的功率半導體供應商。
