採用極紫外光(EUV)微影(Lithography)設備的10奈米製程量產在即。艾司摩爾(ASML)已開發出第三代EUV微影方案–NXE:3300B，大幅提升光源效能和生產力(Throughput)，並計畫於2016年底前，達到每天曝光一千五百片晶圓目標，助力客戶加速啟動10奈米互補式金屬氧化物半導體(CMOS)製程量產。
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| 艾司摩爾亞太區技術行銷協理鄭國偉表示，該公司確信EUV微影設備將能幫助客戶順利生產10奈米晶片。 |
艾司摩爾亞太區技術行銷協理鄭國偉表示，該公司NXE:3300B提供客戶端進行測試後，已確認符合10奈米和7奈米CMOS製程對成像(Image)和製程影像疊對(Overlay)的曝光效能要求。
據了解，艾司摩爾第三代EUV機台除加強曝光機效能之外，亦持續強化光源功率(Source Power)和可用性(Availability)，目前已達到客戶期望的階段性目標。
此外，由於使用EUV微影設備將有機會大幅降低10奈米CMOS製程成本，生產力的進展亦備受各界關注。鄭國偉指出，該公司於第二季已成功協助客戶達成每天曝光二百片晶圓的能力，較前一季高出一倍之多；並預定於2014年底前，讓客戶實現每天曝光達五百片晶圓的目標。
事實上，在近期客戶端進行的數項測試中，艾司摩爾的EUV微影系統已被證實不僅曝光性能可達客戶要求，更重要的是，在晶圓曝光的速度上，已具有每天曝光六百片晶圓的能力，如包含台積電在內兩家使用NXE:3300B的客戶，皆已公開宣稱達可到此一吞吐量。
至於EUV微影系統何時能導入量產，鄭國偉強調，該公司正與客戶緊密合作並討論量產時間，預計2016年底前達到每天曝光一千五百片晶圓後，才能符合客戶的量產需求，屆時將會正式邁入量產階段。
值此10奈米衝刺量產之際，艾司摩爾針對7奈米及以下製程，亦已著手投入第四代EUV系統–NXE:3350B開發。鄭國偉透露，該公司的第四代EUV微影產品已在荷蘭裝機，進度均依照和客戶討論的計畫時程進行中，將於2015年出貨，但尚未可公布客戶訂單狀況。
鄭國偉認為，中長期觀之，先進製程勢必朝7奈米以下邁進，對此，設備、材料供應商皆仍有合作和努力空間，共同為客戶群提供更具成本效益的先進製程量產設備方案。
儘管EUV機台已成為10奈米及以下CMOS製程的熱門採購選項，但鄭國偉強調，未來浸潤式(Immersion)與EUV微影系統將會在先進製程市場共存，主因係高達70%的製程使用浸潤式微影設備仍可滿足客戶對於出貨量及生產成本的要求，另30%最重要的製程才會轉用EUV技術，以此推估，未來搭配浸潤式和EUV微影設備的混合式產線配置將會蔚為風潮。
